- Sektör: Semiconductors
- Number of terms: 2987
- Number of blossaries: 0
- Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
自由な場所と濃度拡散プロセス前からウェハのバルク シリコンの存在のランダムな不純物。一括不純物が懸念不純物再配置および濃度拡散プロセス中に層があります様々 な酸化物の成長のために。偏った不純物 (は通常酸素、炭素、または硫黄) が不要な作成できます寄生やさまざまな種類の早期の失敗につながることができます潜在的な欠陥。
Industry:Semiconductors
The application of electrical biases to a device while operating it at an elevated temperature (usually 125°C), normally as a 100% screening test. Standard burn-in durations are 160 hours for Class B devices and 240 hours for Class S. This test is designed to "weed out" devices subject to infant mortality or excessive parametric drift.
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デバイスの組立工程のステップは、リード フレームがオフにトリミングし、リード線が曲がったり、指定された位置に形成される (flatpacks およびデュアル インライン パッケージ) などのリード フレーム上で組み立てます。
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ヘッドのスクラブのアクションでのボンディング ヘッド、ボンディング ・ ワイヤに超音波振動を適用して、振動ワイヤと作成されたパッドの摩擦と圧力を通して熱に変換するを利用した接合技術。以来、この手法を必要がない外部加熱は最小限の酸化アルミニウム ワイヤとボンディング ボンドパッドの結果します。通常、アルミ線で使用、これは最も一般的採用接合技術。
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または、指定したテストまたはスクリーニングの流れにさらされるがされているがまだ正常に完了していないテスト デバイスを指定するミル M 38510 で使用される用語です。
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