- Sektör: Semiconductors
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Maker of semiconductor chips and other communications and computing devices. Intel invented the x86 microprocessor series and the Pentium processor.
New transistor designed by Intel to reduce boost frequency and/or or reduce power in microprocessors. The transistor extends the semiconductor material in 3D, increasing the conductivity of the material and raising contact area with the transistor gate. This will resolve the issue of confusion between leakage current in “off” states and the low-current “on” states in traditional transistor. Tri-gate transistors can switch between states much faster while still producing a clear string of ons and offs, and/or use much reduced power (up to 50%).
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Trace amounts of current which continue to flow between source and drain parts of transistors when the voltage is removed. This unwanted leakage current wastes power and becomes even more of a problem as transistors get smaller and more numerous. As inversion layers (the conductor in a transistor) get smaller, the amount of current it can conduct also is reduced to the level of the leakage current, making it hard to tell the difference between “on” and “off” transistors, meaning the transistor’s primary purpose – transmitting I’s and O’s of binary – becomes lost.
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Jumlah arus jejak yang terus mengalir antara bagian sumber dan pembuangan pada transistor saat tegangan dihilangkan. Arus bocor yang tidak diinginkan ini akan menghabiskan daya dan bahkan dapat menjadi masalah karena transistor mengecil dan banyak. Oleh karena lapisan inversi (konduktor dalam sebuah transistor) mengecil, jumlah arus yang dapat dihantarkan juga berkurang hingga ke tingkat arus bocor, sehingga akan sulit membedakan kondisi transistor “hidup” dan “mati”, yang berarti tujuan utama transistor – mengirimkan Input dan Output biner menjadi hilang.
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ソース間の流れし、電圧が削除されるとトランジスタのドレインを電流の量を追跡します。このリーク電流電源を浪費し、トランジスタが小さくなると、問題のさらなる不要なとより多く。反転層 (トランジスタ、指揮者） が小さくなるように、それを実施することができます現在のも、リーク電流のレベルに短縮され、「オン」と「オフ」トランジスタ、-のと O バイナリを送信-トランジスタの主な目的意味違い見分けるは難しいことなるが失われる。
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新的電晶體英特爾旨在減少刺激頻率和 （或） 或減少在微處理器中的電源。電晶體延伸在 3D 中的半導體材料，增加材料的導電性能、 提高接觸與電晶體門區。這將解決問題的漏電流"關"狀態與"對"國家傳統電晶體在低電流之間的混淆。三閘電晶體可以更快的同時仍然產生明確的字串的 ons 的狀態之間切換和平衡，和/或使用要大大縮短電源 （最多 50%）。
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跟蹤而繼續源之間流動和排水零部件的電晶體，移除電壓時電流的款額。這有害的洩漏電流電源的廢物和變得更多的問題，由於電晶體會變得更小、 更多。反演的圖層 （電晶體的導體） 變得更小，可進行的電流也減少洩漏電流的水準，使它硬的區別之間"上"和"關閉"電晶體，意味著電晶體的主要目的 — — 轉遞我的和 O 的二進位檔案 — — 成為丟失。
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부스트 주파수를 줄이기 위해 인텔에 의해 설계 된 새로운 트랜지스터 및/또는 또는 마이크로프로세서에 전력을 줄일 수 있습니다. 트랜지스터 확장 차원에서 반도체 소재, 재료의 열전도율을 증가 하 고 모금 트랜지스터 게이트 지역에 문의. 이 누설 전류를 "off" 상태와 "에서" 전통적인 트랜지스터에서 낮은 전류 사이의 혼란의 문제를 해결할 것입니다. 트라이 게이트 트랜지스터 상태 여전히 ons의 명확한 문자열을 생산 하는 동안 훨씬 더 빠르게 전환할 수 및 오프, 및/또는 사용 훨씬 감소 전원 (최대 50%까지).
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Nuevo transistor diseñado por Intel para reducir la frecuencia de impulso o o reducir la potencia de los microprocesadores. El transistor extiende el material semiconductor en 3D, aumentar la conductividad del material y elevar póngase en contacto con el área con la puerta del transistor. Esto resolverá el problema de confusión entre la corriente en "off" Estados de fuga y la corriente de baja "a" los Estados de transistor tradicional. Tri-gate transistores pueden cambiar entre Estados mucho más rápidos mientras sigue produciendo una clara cadena de ons y concesiones mutuas, y el uso muy reducido de energía (hasta un 50%).
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Rastrear cantidades de corriente que fluyen entre origen y partes de transistores de drenaje cuando se quita la tensión a seguir. Esto no deseados corriente de fuga desperdicia energía y se convierte en más de un problema como los transistores más pequeños y más numerosos. Como se produjese capas de inversión (el director de orquesta en un transistor), se reduce la cantidad de corriente puede conducir también al nivel de la corriente de fuga, haciendo difícil saber la diferencia entre "on" y "fuera" de transistores, que significa el propósito principal del transistor: transmisión del me y o binaria: se convierte en perdida.
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